SJ-MOS

低导通电阻,高开关速度,高可靠性,低开关损耗

采用深沟槽工艺,为国内目前元胞尺寸最小的SJ-MOS产品之一。
采用独特的终端设计,在有效减小芯片面积的同时实现了器件的高可靠性。
基于SJ-MOS的技术特点,其主要应用于PD充电、LED电源、服务器电源,电动汽车充电桩等。

咨询方案

产品参数/ Product parameters
Product Package Polarity VDS ID VGS VGS(th) RDS(on)@ 10V
Min. Max. Typ. Max.
V A V V V
JMH60R080S TO-247 N 600 42 ±30 2.5 4.5 65 80
JMH60R080F TO-247 N 600 42 ±20 2.5 4.5 65 80
JMP60R160S TO-220 N 600 22 ±30 2.5 4.5 125 160
JMG60R160S TO-220MF N 600 11 ±30 2.5 4.5 125 160
JMG60R160F TO-220MF N 600 11 ±20 2.5 4.5 125 160
JMG60R320S TO-220MF N 600 11 ±30 2.5 4.5 270 320
JMD60R320S TO-252 N 600 12 ±30 2.5 4.5 270 320
JMN60R320S DFN 8x8 N 600 11 ±30 2.5 4.5 270 320
JCD60R380S TO-252 N 600 11 ±30 2.5 4.5 318 380
JCF60R380S TO-220F N 600 9.6 ±30 2.5 4.5 318 380
JMH65R100S TO-247 N 650 35 ±30 2.5 4.5 80 100
JMP65R100F TO-220 N 650 25 ±20 2.5 4.5 80 100
JMH65R100F TO-247 N 650 35 ±20 2.5 4.5 80 100
JMP65R190S TO-220 N 650 20 ±30 2.5 4.5 150 190
JMG65R190S TO-220MF N 650 10 ±30 2.5 4.5 150 190
JMG65R380S TO-220MF N 650 9 ±30 2.5 4.5 320 380
JMD65R380S TO-252 N 650 10 ±30 2.5 4.5 320 380
JMN65R380S DFN 8x8 N 650 9.6 ±30 2.5 4.5 320 380
应用场景/ Product parameters

  • 江苏省苏州市昆山市玉山镇晨淞路128-1号
  • +86 177 0155 4650
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