1200V耐压等级碳化硅二极管（SiC diode），采用独特的元胞和终端设计，实现了导通压降（VF）和击穿电压（BV）间更好的折中，同时，拥有更好的抗浪涌能力，雪崩耐量和可靠性。
基于SiC diode导通压降低，反向恢复电荷少的特点，其主要应用于通信电源、服务器电源，电动汽车，充电桩，光伏等。
| Product | Package | VRRM | IF | Qc | IFSM |
| V | A | nC | A | ||
| JDH20B120PJ | TO-247 | 1200 | 10 | 121 | 135 |
| JDP20B120PJ | TO-220 | 1200 | 10 | 121 | 135 |
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